STP10N60M2

STMicroelectronics

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Descripción del producto

Número de pieza:	STP10N60M2
Fabricante / Marca:	STMicroelectronics
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V TO-220
Especificaciones:	STP10N60M2.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	54326 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54326 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de STP10N60M2

Número de pieza	STP10N60M2	Fabricante	STMicroelectronics
Descripción	MOSFET N-CH 600V TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	54326 pcs	Ficha de datos	STP10N60M2.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220
Serie	MDmesh™ II Plus	RDS (Max) @Id, Vgs	600 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)	85W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	497-13970-5 STP10N60M2-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Tiempo de entrega estándar del fabricante	42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	13.5nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.5A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa básica de envío depende de la zona y el país.
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