Número de pieza | PSMN1R0-30YLDX | Fabricante | Nexperia |
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Descripción | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 56751 pcs | Ficha de datos | PSMN1R0-30YLDX.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2.2V @ 2mA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | LFPAK56, Power-SO8 |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.02 mOhm @ 25A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 238W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | Otros nombres | 1727-1859-1 568-11555-1 568-11555-1-ND |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8598pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 121.35nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
Descripción detallada | N-Channel 30V 100A (Tc) 238W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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