DS1250Y-100IND

Maxim Integrated

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Descripción del producto

Número de pieza:	DS1250Y-100IND
Fabricante / Marca:	Maxim Integrated
Descripción del producto	IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
Especificaciones:	DS1250Y-100IND.pdf
Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
Condición de stock	6333 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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In Stock 6333 pcs

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Especificaciones de DS1250Y-100IND

Número de pieza	DS1250Y-100IND	Fabricante	Maxim Integrated
Descripción	IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Contiene plomo / RoHS no conforme
cantidad disponible	6333 pcs	Ficha de datos	DS1250Y-100IND.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	100ns	Suministro de voltaje	4.5 V ~ 5.5 V
Tecnología	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Paquete del dispositivo	32-EDIP
Serie	-	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	32-DIP Module (0.600", 15.24mm)	Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Tipo de memoria	Non-Volatile	Tamaño de la memoria	4Mb (512K x 8)
Interfaz de memoria	Parallel	Formato de memoria	NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Descripción detallada	NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP
Número de pieza base	DS1250Y	Tiempo de acceso	100ns

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa básica de envío depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa básica de envío depende de la zona y el país.
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