AON7932_101

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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Descripción del producto

Número de pieza:	AON7932_101
Fabricante / Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
Especificaciones:	AON7932_101.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5507 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5507 pcs

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Especificaciones de AON7932_101

Número de pieza	AON7932_101	Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5507 pcs	Ficha de datos	AON7932_101.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.4V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-DFN (3x3)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	20 mOhm @ 6.6A, 10V
Potencia - Max	1.4W	embalaje	Bulk
Paquete / Cubierta	8-WDFN Exposed Pad	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.5nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN (3x3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.6A, 8.1A

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